導讀：專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領域，更具體的說，涉及一種包含射頻系統(tǒng)的半導體處理設備。本發(fā)明提供了一種半導體處理設備，至少包括反應腔室、射頻接收極、射頻發(fā)射極：所述射頻接收極，設置在反應腔室內(nèi)的上方；所述射頻發(fā)射極，設置在反應腔室...
專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領域，更具體的說，涉及一種包含射頻系統(tǒng)的半導體處理設備。本發(fā)明提供了一種半導體處理設備，至少包括反應腔室、射頻接收極、射頻發(fā)射極：所述射頻接收極，設置在反應腔室內(nèi)的上方；所述射頻發(fā)射極，設置在反應腔室內(nèi)的下方，用于向反應腔室上方發(fā)射射頻功率信號。本發(fā)明通過將射頻功率從反應腔室底部導入，并采用連接器與匹配器直接相連的方式，實現(xiàn)了待處理基板沉積速率的顯著提升，提高了工藝均勻穩(wěn)定性。
