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臺(tái)積電開(kāi)發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片,功耗僅為類(lèi)似技術(shù)的1%
來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)   發(fā)布日期:2024-01-18 10:20:25   瀏覽:119915次  

導(dǎo)讀:臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息,臺(tái)積電在次世代MRAM內(nèi)存相關(guān)技術(shù)傳捷報(bào),與工研院共同開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性?xún)?nèi)存(SOT-MRAM)陣列芯片,搭配創(chuàng)新的運(yùn)算構(gòu)架,功耗僅其他類(lèi)似技術(shù)的1%,為臺(tái)積電搶攻AI、高效能運(yùn)算(HPC)等當(dāng)紅商機(jī)增添動(dòng)能。...

臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息,臺(tái)積電在次世代MRAM內(nèi)存相關(guān)技術(shù)傳捷報(bào),與工研院共同開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性?xún)?nèi)存(SOT-MRAM)陣列芯片,搭配創(chuàng)新的運(yùn)算構(gòu)架,功耗僅其他類(lèi)似技術(shù)的1%,為臺(tái)積電搶攻AI、高效能運(yùn)算(HPC)等當(dāng)紅商機(jī)增添動(dòng)能。

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