文/DOIT總編宋家雨
以大語言大模型（LLM）為核心的生成式AI引發(fā)了一場新的科技革命，也帶動了對于算力市場性能的旺盛需求，不論是GPU，還是HBM內(nèi)存都出現(xiàn)了短缺，與此同時，市場也在尋求更具競爭力的替代方案，在這種背景下，DDR5內(nèi)存?zhèn)涫荜P(guān)注，在一些非極端性能需求的場景，DDR5大有用武之地。不僅如此，即使GPU、HBM內(nèi)存應(yīng)用場景中，水漲船高，也對CPU、DDR內(nèi)存提出了更高的性能需求，DDR5同樣大有可為。
6月21日，作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.宣布推出最先進(jìn)的全新DDR5 服務(wù)器電源管理IC（PMIC）系列，憑借這一全新服務(wù)器 PMIC 系列，Rambus為模塊制造商提供了完整的DDR5 RDIMM 內(nèi)存接口芯片組，支持廣泛的數(shù)據(jù)中心用例。
Rambus 產(chǎn)品營銷副總裁 John Eble 、Rambus 大中華區(qū)總經(jīng)理蘇雷先生在采訪中，結(jié)合最新的
DDR5 服務(wù)器電源管理IC進(jìn)行了講解。
John Eble指出：與1TB HBM內(nèi)存配套使用的主內(nèi)存達(dá)到2TB，其中，DDR5相比DDR4帶寬從25.6GB/s提高到32GB/s，單芯片容量也從4GB提高到16GB，這主要得益于高達(dá)4800MHz以上工作頻率，但其電壓也從1.2V將進(jìn)一步降低到1.1V。
工作頻率的提升，帶來了電源管理的復(fù)雜性，為了滿足DDR5工作頻率的而需要，在設(shè)計上DDR5，將PMIC模塊從主板集成到了DIMM片上，這是相對DDR4最大改變，從而實(shí)現(xiàn)了對于更低電壓的精準(zhǔn)、可靠的控制。因此，PMIC是DDR5 內(nèi)存架構(gòu)中的關(guān)鍵組件，可實(shí)現(xiàn)更多的內(nèi)存通道、更大容量的模組和更高的帶寬。
目前，Rambus DDR5 PMIC系列包含符合JEDEC超高電流（PMIC5020）、高電流（PMIC5000）和低電流（PMIC5010）規(guī)范的產(chǎn)品。其中，PMIC5020將使未來幾代 DDR5 RDIMM 的性能和容量達(dá)到新的基準(zhǔn)。這一全新的Rambus PMIC 芯片產(chǎn)品系列與 Rambus DDR5 RCD、SPD Hub 和溫度傳感器 IC 一起組成一個完整的內(nèi)存接口芯片組，適用于各種DDR5 RDIMM 配置和用例。
蘇雷表示：憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域30多年的經(jīng)驗(yàn)積累，Rambus已成為RDIMM制造商的“一站式” DDR5 內(nèi)存接口芯片供應(yīng)商，能夠?yàn)橹圃焐烫峁┳罡呒墑e的驗(yàn)證保證并加快其產(chǎn)品上市時間。
據(jù)了解，Rambus DDR5 PMIC5020、PMIC5000 和 PMIC5010 現(xiàn)已上市。
