榮耀公布 AI 離焦護(hù)眼技術(shù)：閱讀 25 分鐘，短暫性近視指標(biāo)最高降低 75 度
6 月 26 日，上海世界移動通信大會（2024MWC 上海），榮耀終端有限公司 CEO 趙明發(fā)表了主題演講，并宣布了 AI 離焦護(hù)眼技術(shù)。
據(jù)趙明介紹，榮耀帶來的全新 AI 護(hù)眼技術(shù)，將端側(cè) AI 與屏幕相結(jié)合，可根據(jù)用戶用眼環(huán)境和習(xí)慣，能夠讓手機(jī)屏幕變身“離焦鏡”。實驗室數(shù)據(jù)顯示，用戶在使用具備 AI 離焦護(hù)眼技術(shù)的屏幕閱讀 25 分鐘后，短暫性近視指標(biāo)平均降低 13 度，最高降低 75 度。
當(dāng)前，榮耀手機(jī)、PC 等新品均已搭載了綠洲護(hù)眼屏技術(shù)。5 月份發(fā)布的榮耀 200 系列，還業(yè)內(nèi)首發(fā)搭載 AI 個性化助眠顯示功能，可以通過 AI 學(xué)習(xí)睡眠習(xí)慣、識別睡眠意圖、區(qū)分時空場景，助用戶舒適好眠。
在主題演講中，趙明還公布了端側(cè) AI 反詐檢測技術(shù)“AI 換臉檢測”。據(jù)介紹，通過端側(cè) AI 能力，該技術(shù)可自主識別用戶視頻通話中的畫面要素，如果檢測到視頻內(nèi)容存在 AI 換臉，將向用戶發(fā)出風(fēng)險提醒。
TrendForce 集邦咨詢：預(yù)估三季度 DRAM 內(nèi)存價格整體漲幅達(dá) 8~13%
6 月 27 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日表示該機(jī)構(gòu)預(yù)估三季度 DRAM 價格整體漲幅達(dá) 8~13%，其中非 HBM 的傳統(tǒng)內(nèi)存領(lǐng)域整體漲幅為 5~10%。
整體來看，三季度通用服務(wù)器需求將出現(xiàn)復(fù)蘇，DRAM 原廠又將更多產(chǎn)能分配給 HBM ，來自服務(wù)器領(lǐng)域的兩大變化導(dǎo)致三季度 DRAM 內(nèi)存漲勢延續(xù)，但漲幅進(jìn)一步收窄。
研報指出，二季度下游買方補(bǔ)庫存意愿漸趨保守，供需兩端庫存水平未發(fā)生明顯變化。
智能手機(jī)和云服務(wù)器廠商目前仍有補(bǔ)充 DRAM 庫存的空間，且即將進(jìn)入三季度的生產(chǎn)旺季，因此智能手機(jī)和服務(wù)器領(lǐng)域的需求將在三季度帶動存儲出貨量增加。
具體各類別漲幅如下：
●PC DRAM：三季度漲幅預(yù)估 3~8%
由于服務(wù)器內(nèi)存需求提升擠占本就受 HBM 增產(chǎn)影響的通用 DRAM 產(chǎn)能，PC 市場 DRAM 價格將繼續(xù)上漲 3~8%。但由于庫存偏高、終端需求不振，PC DRAM 的漲幅明顯下滑。
●服務(wù)器 DRAM：三季度平均漲幅預(yù)估 8~13%
三季度進(jìn)入通用服務(wù)器旺季，帶動 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存合約價上漲 8~13%；而在 DDR4 服務(wù)器內(nèi)存方面，買方庫存仍然較高，漲幅略低，達(dá) 5~10%。
●移動 DRAM（即 LPDDR），三季度漲幅預(yù)估 3~8%
●圖形 DRAM（即 GDDR），三季度漲幅預(yù)估 3~8%
研報表示，GDDR7 內(nèi)存目前相較 GDRR6 有 20~30% 溢價。
●消費級 DDR3/4 DRAM，三季度漲幅預(yù)估 3~8%
展望四季度，由于智能手機(jī)、云服務(wù)器領(lǐng)域仍有庫存回補(bǔ)的需求，且 HBM 產(chǎn)能進(jìn)一步提升，四季度 DRAM 內(nèi)存價格仍將進(jìn)一步上漲。
消息稱鎧俠放棄與西部數(shù)據(jù)合并計劃，要十月上市
6 月 26 日消息，路透社報道稱，日本NAND閃存鎧俠計劃于未來幾天在東京證券交易所提交上市的初步申請。
據(jù)知情人士透露，鎧俠計劃在八月份提交完整申請，并在十月底上市，也可能會推遲到十二月。
貝恩資本在 2018 年領(lǐng)導(dǎo)一個財團(tuán)收購了東芝的存儲部門，更名為鎧俠。貝恩資本計劃通過出售股份來回收資本，而鎧俠計劃通過發(fā)行新股來籌集資金。
此前，自 2021 年來，鎧俠一直考慮與西部數(shù)據(jù)合并，但持有鎧俠 15% 股權(quán)的 SK 海力士明確表示反對，鎧俠與西部數(shù)據(jù)的多次合并談判均以失敗告終。
美光加速 EUV 技術(shù)攻堅
6 月 27 日消息，不同于其他半導(dǎo)體龍頭，美光并不急于為 DRAM 引入 EUV 光刻技術(shù)，因此該公司目前所有量產(chǎn)芯片都是采用 DUV 光刻機(jī)制造。
不過，美光最終還是無法避免使用 EUV 技術(shù)，并于今年開始在其 1γ 工藝上進(jìn)行試生產(chǎn)，該工藝計劃于明年進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn) (HVM) 階段。
美光科技首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在剛剛舉行的電話會議上表示：“采用極紫外光刻技術(shù)的 1γ DRAM 試產(chǎn)進(jìn)展順利，我們正按計劃于 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)�！�
