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存儲芯片年漲七成不算完:AI需求接棒,大廠持續(xù)加注
來源:互聯(lián)網(wǎng)   發(fā)布日期:2024-07-30 16:45:53   瀏覽:16558次  

導(dǎo)讀:圖片來源:unsplash 最近兩年,存儲芯片市場經(jīng)歷了過山車一般的大起大落。先是供大于求,價格跌至歷史新低。隨后便一路走高,漲價的勢頭至今已延續(xù)一年。 TrendForce集邦咨詢的研報顯示,在人工智能驅(qū)動的HBM和QLC的帶動下,預(yù)估DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)2024年...

圖片來源:unsplash

最近兩年,存儲芯片市場經(jīng)歷了過山車一般的大起大落。先是供大于求,價格跌至歷史新低。隨后便一路走高,漲價的勢頭至今已延續(xù)一年。

TrendForce集邦咨詢的研報顯示,在人工智能驅(qū)動的HBM和QLC的帶動下,預(yù)估DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)2024年營收年增幅度將分別增加75%和77%。預(yù)計至2025年,DRAM、NAND產(chǎn)業(yè)的營收還將分別有51%和29%的環(huán)比增長。

在連續(xù)的高速增長背后,有著存儲芯片供需關(guān)系的不斷調(diào)整,也有著隨著AI浪潮一同到來的新需求。

從大落到大起,存儲芯片坐上過山車

圖片來源:Pexels

事實上,在這輪“潑天富貴”之前,存儲芯片行業(yè)此前經(jīng)過了很長時間的低谷期。

早在疫情剛開始的2020年,由于全球性的芯片短缺,讓很多廠商對疫情和局勢產(chǎn)生了錯判,囤積了大量的芯片。最終結(jié)果就是導(dǎo)致供大于求,存儲芯片成為了廠商巨大的庫存壓力,因此在2022年到2023年上半年間,存儲芯片價格一直處于低位。

Strategy Analytics手機元件技術(shù)服務(wù)高級分析師Jeffrey Mathews指出,隨著需求端在2022年開始下降,行情供過于求。市場的供過于求強烈推動了下行周期,這是當(dāng)時DRAM和NAND降價的主要原因。

但很快,上游廠商廠商就調(diào)整了產(chǎn)能策略和供需關(guān)系。彼時,2023年Q2的財報會議上,三星宣布下半年將繼續(xù)削減以NAND Flash為核心的存儲芯片產(chǎn)量。SK海力士則宣布下半年繼續(xù)減少5-10%的NAND Flash產(chǎn)量。美光將NAND Flash晶圓投片數(shù)量由之前的減產(chǎn)25%擴大到減產(chǎn)30%。鎧俠自2022年Q4就開始實施減產(chǎn)30%,2023年的減產(chǎn)幅度已經(jīng)擴大到了50%。

從2023年年中開始,存儲芯片的價格因為上游減產(chǎn)開始了一路飛漲,部分產(chǎn)品的價格在一年內(nèi)實現(xiàn)了價格翻倍。

真我全球副總裁、中國區(qū)總裁徐起在2024年4月的交流中告訴鈦媒體APP,2024年供應(yīng)鏈價格上漲給到廠商的壓力很大,其中閃存價格上漲的趨勢尤其明顯。

從財務(wù)表現(xiàn)來看,各大存儲廠商在此輪漲價過程中賺的盆滿缽滿。海力士2024財年第二季度財報顯示,二季度營收為16.4萬億韓元(約118億美元),比去年同期上漲125%,為單季最高紀(jì)錄,凈利潤為4.12萬億韓元,較一季度上漲了115%。三星一季度利潤同比同比增長9倍,超過其2023年的利潤總和。美光則提前預(yù)期一季度實現(xiàn)扭虧為盈。

此前TrendForce集邦咨詢研究預(yù)估,存儲芯片的漲勢或?qū)⒀永m(xù)至2024年第一季度。但截止到2024年中,這一漲勢還沒有即將停止的勢頭。

AI接棒,HBM拉動存儲芯片持續(xù)增長

根據(jù)IDC發(fā)布的全球智能手機、PC市場報告,至2024年第二季度,全球智能手機出貨量已實現(xiàn)了連續(xù)四個季度的出貨量正增長,PC也實現(xiàn)了連續(xù)兩個季度的出貨量正增長。應(yīng)該說從供需關(guān)系來看,智能手機、PC的全球性復(fù)蘇,已經(jīng)給到了上游足夠信心。

但更加重要的是,隨著ChatGPT引領(lǐng)的新一輪AI浪潮的興起,海量服務(wù)器對存儲芯片的需求急劇增長,這種需求的上限已經(jīng)變得難以估量。

從2023年開始,隨著新一輪人工智能浪潮的到來,存儲芯片行業(yè)內(nèi)也產(chǎn)生了新的需求。在一段時期內(nèi),AI服務(wù)器的算力可以輕松破T(TOPS,每秒萬億次運算),但存儲器帶寬不能破T(TB/s,每秒萬億字節(jié)帶寬),這導(dǎo)致存儲芯片成為了AI鏈路上木桶效應(yīng)的短板,出現(xiàn)行業(yè)所謂的“存儲墻”。

圖片來源:SK海力士

相比于傳統(tǒng)的GDDR、LPDDR,HBM雖然也屬于DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)中的一個類別,但具有顯著的高帶寬、大容量、低延遲特點。在與同類產(chǎn)品的競爭中,憑借速度優(yōu)勢,HBM迅速擊敗同類產(chǎn)品成為了目前AI行業(yè)共同的選擇。

HBM最早發(fā)布于2013年,其最新一代產(chǎn)品HBM3E發(fā)布于2023年8月,2024年3月末開始供貨。據(jù)SK海力士,該產(chǎn)品最高每秒可以處理1.18TB(太字節(jié))的數(shù)據(jù),相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理230部FHD全高清電影。

目前HBM的主要制造商只有傳統(tǒng)的存儲芯片三巨頭,也就是SK海力士、三星和美光,目前SK海力士處于領(lǐng)先地位,三星第二,美光第三。

據(jù)TrendForce 集邦咨詢預(yù)估,2024年DRAM產(chǎn)業(yè)營收將達(dá)907 億美元,其中HBM將貢獻(xiàn)DRAM位元出貨量5%,營收貢獻(xiàn)可達(dá)到20%。

但從目前看來,三家現(xiàn)有的產(chǎn)能還無法滿足HBM高漲的需求。美光CEO Sanjay Mehrotra在2023年年底的財報會議上透露,其2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄;SK海力士副總裁Kim Ki-tae也表示,2024年即將生產(chǎn)的HBM已全部售罄。

為了延續(xù)HBM的業(yè)務(wù)增長,巨頭們選擇加注擴產(chǎn)。

先是在今年4月,SK海力士公布將投資約38.7億美元在美國印第安納州建造一座先進(jìn)封裝廠和AI產(chǎn)品研發(fā)設(shè)施。隨后在7月26日,SK海力士宣布將投資約9.4萬億韓元(約合68億美元)在韓國龍仁市建設(shè)當(dāng)?shù)氐谝患倚酒S,2025年3月開工,2027年5月竣工。監(jiān)管文件中顯示,這項投資旨在滿足對AI芯片的需求,確保未來的增長。

Yole Group的最新分析報告顯示,由于人工智能服務(wù)器的需求超過了其他應(yīng)用,HBM在整個DRAM出貨量中所占的份額預(yù)計將從2023年的約2%上升到2029年的6%,由于HBM的價格遠(yuǎn)高于DDR5,就收入而言,其份額預(yù)計將從2024年的140億美元攀升至2029年的380億美元。

值得注意的是,目前除了SK海力士、三星和美光,還沒有其它廠商能夠量產(chǎn)HBM產(chǎn)品,對此我國學(xué)者表示了擔(dān)憂。電子科技大學(xué)長三角研究院(湖州)集成電路與系統(tǒng)研究中心副主任黃樂天表示:“就好像一把槍,子彈供應(yīng)跟不上,射速再快也沒用。無法解決HBM問題,我國算力就難以提升,人工智能在內(nèi)的諸多產(chǎn)業(yè)發(fā)展就將受限。”

今年三月,武漢新芯集成電路制造有限公司發(fā)布了《高帶寬存儲芯粒先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)》招標(biāo)項目,利用三維集成多晶圓堆疊技術(shù),打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國產(chǎn)高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)品。擬新增設(shè)備16臺套,擬實現(xiàn)月產(chǎn)出能力>3000片(12英寸)。

國盛證券認(rèn)為,武漢新芯發(fā)布該輪招標(biāo)預(yù)示著長江存儲或其他潛在客戶擁有DRAM產(chǎn)品制造能力,將大幅提振國內(nèi)產(chǎn)業(yè)化信心。(本文首發(fā)于鈦媒體APP,作者|吳泓磊,編輯|鐘毅)

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