劃重點(diǎn)
01美國商務(wù)部工業(yè)和安全局升級了對量子計(jì)算、先進(jìn)半導(dǎo)體制造、GAAFET等相關(guān)技術(shù)的出口管制。
02具體措施包括新增18個(gè)ECCN編號，更新9個(gè)現(xiàn)有ECCN編號，涵蓋量子計(jì)算、GAAFET制造設(shè)備等。
03此外，美國還對與GAAFET相關(guān)的制造設(shè)備進(jìn)行了限制。
04美國商務(wù)部表示，與盟友合作制定并協(xié)調(diào)出口管制措施，以保護(hù)國家安全。
05可靠的合作伙伴可享受許可豁免。
以上內(nèi)容由騰訊混元大模型生成，僅供參考
當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月5日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）在《聯(lián)邦公報(bào)》上發(fā)布了一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)則（IFR），升級了對量子計(jì)算、先進(jìn)半導(dǎo)體制造、GAAFET等相關(guān)技術(shù)的出口管制。
具體來說，該IFR 涵蓋了：量子計(jì)算、相關(guān)組件和軟件；先進(jìn)的半導(dǎo)體制造；用于開發(fā)超級計(jì)算機(jī)和其他高端設(shè)備的高性能芯片的環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管 (GAAFET) 技術(shù)；以及用于制造金屬或金屬合金部件的增材制造工具。
1、量子計(jì)算相關(guān)：
隨著具有更多量子位的更大型的量子計(jì)算機(jī)的開發(fā)，控制電路必須在低溫恒溫器內(nèi)移動(dòng)以減少這些延遲。目前，傳統(tǒng)CMOS器件的一般溫度下限為-40°C（233K）。CMOS設(shè)計(jì)目前正在開發(fā)中，以適用于在4K或以下溫度下工作，用于量子計(jì)算。出于這些原因，BIS在CCL中添加了3A901.a，以控制3A001.a.2中未指定的CMOS集成電路，這些電路設(shè)計(jì)用于在等于或低于4.5 K（-268.65°C）的環(huán)境溫度下運(yùn)行。這一補(bǔ)充附帶了一份技術(shù)說明，主要限制“低溫CMOS或低溫CMOS集成電路。”
量子計(jì)算項(xiàng)目中的一個(gè)關(guān)鍵功能是讀取非常微弱的信號的能力。為了執(zhí)行該功能，量子比特和信號放大器需要冷卻到非常低的溫度以抑制噪聲。因此，BIS在CCL中添加了3A901.b，以控制在極低溫度、指定頻率和噪聲系數(shù)參數(shù)下工作的參數(shù)信號放大器。還添加了一個(gè)注釋和一個(gè)技術(shù)注釋，說明“參數(shù)信號放大器包括行波參數(shù)放大器（TWPA）”和“參數(shù)信號功放也可稱為量子限幅放大器（QLA）。”根據(jù)3A901.a規(guī)定的CMOS集成電路和3A901.b規(guī)定的參數(shù)信號放大器需要獲得所有目的地的許可證。
此外，量子計(jì)算芯片所需的低溫晶圓探測設(shè)備（3B904）也被進(jìn)一步限制。低溫晶圓探測器的目標(biāo)是擴(kuò)大基于固態(tài)量子位和其他類型量子位的量子計(jì)算。低溫量子器件、電子學(xué)和探測器的發(fā)展可以從低溫晶片探測器提供的更好的器件特性中受益。某些低溫晶片探測器將加快被測量子比特器件的測試和表征（大容量數(shù)據(jù)的收集）。這在開發(fā)過程中提供了一個(gè)明顯的優(yōu)勢，傳統(tǒng)上，低溫測試需要更多的時(shí)間。出于這個(gè)原因，BIS認(rèn)為，這些設(shè)備需要出口管制。因此，BIS正在CCL中添加ECCN 3B904，以控制指定的低溫晶片探測設(shè)備。根據(jù)國家安全控制和許可證審查政策集的規(guī)定，ECCN 3B904中指定的項(xiàng)目對所有目的地的NS和RS進(jìn)行控制。
2、GAAFET及相關(guān)
針對3nm以下制程所需要采用的GAAFET，BIS在通用許可證中增加了兩項(xiàng)授權(quán)，以補(bǔ)充第736部分第4號通用命令的第1項(xiàng)，即GAAFET出口、再出口和轉(zhuǎn)讓（國內(nèi)）到目前與美國工業(yè)合作的實(shí)體，目的地為EAR國家組A:5或A:6中指定的目的地，以及ECCN 3E905中指定的GAAFET“技術(shù)”和“軟件”的視同出口和視同再出口到已受雇于實(shí)體的外籍員工或承包商，其最近的公民身份或永久居留權(quán)是國家組中指定的目標(biāo)。
另外，由于美國此前已經(jīng)對GAAFET設(shè)計(jì)軟件進(jìn)行了出口管制，因此，與GAAFET相關(guān)的制造設(shè)備此次也一并受到了限制。
3、半導(dǎo)體設(shè)備
3B001用于制造半導(dǎo)體器件、材料或相關(guān)設(shè)備的設(shè)備，如下（見受控物品清單）及其“特殊設(shè)計(jì)”的“組件”和“配件”：
基于列表的許可證例外（有關(guān)所有許可證例外的描述，請參閱第740部分）
LVS:500，3B001.a.4、c、d、f.1.b、j至p中規(guī)定的半導(dǎo)體制造設(shè)備除外。
GBS：a.3（使用氣體源的分子束外延生長設(shè)備）、c.1.a（為各向同性干法蝕刻設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備）、c.1.c（為各向異性干法蝕刻設(shè)計(jì)和修改的設(shè)備”）、.e（僅當(dāng)連接到由3B001.a.3或.f控制的設(shè)備時(shí)才自動(dòng)裝載多腔中央晶片處理系統(tǒng)）、.f（光刻設(shè)備）和.q（為集成電路設(shè)計(jì)的“EUV”掩模和掩模，未在3B001.g中指定，并具有3B001.j中指定的掩模“基板空白”）除外。
IEC：3B001.c.1.a、c.1.c和.q為是，見《出口管理?xiàng)l例》第740.2（a）（22）條和第740.24條。
STA的特殊條件
STA：許可證例外STA不得用于將3B001.c.1.a、c.1.c或.q運(yùn)送到國家組a:5或a:6中列出的任何目的地（見EAR第740部分補(bǔ)充1）。
受控項(xiàng)目清單：
相關(guān)控制：另見3B903和3B991
項(xiàng)目：
a.設(shè)計(jì)用于外延生長的設(shè)備如下：
a.1.設(shè)計(jì)或改裝的設(shè)備，用于在75毫米或更長的距離內(nèi)生產(chǎn)厚度均勻小于±2.5%的硅以外的任何材料層；
注：3B001.a.1包括原子層外延（ALE）設(shè)備。
a.2：金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）反應(yīng)器，設(shè)計(jì)用于化合物半導(dǎo)體外延生長具有以下兩種或多種元素的材料：鋁、鎵、銦、砷、磷、銻或氮；
a.3：使用氣體或固體源的分子束外延生長設(shè)備；
a.4：為硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長并且具有以下所有特性：
a.4.a.多個(gè)腔室，并在工藝步驟之間保持高真空（等于或小于0.01 Pa）或惰性環(huán)境（水和氧氣分壓小于0.01帕）；
a.4.b.至少一個(gè)預(yù)清潔室，其設(shè)計(jì)用于提供表面處理裝置以清潔晶片的表面；和
a.4.c.外延沉積操作溫度為685°c或以下；
b.設(shè)計(jì)用于離子注入的半導(dǎo)體晶片制造設(shè)備，具有以下任何一項(xiàng)：
b.1：[保留]
b.2：被設(shè)計(jì)和優(yōu)化為在20keV或更高的束能量和10mA或更大的束電流下工作，用于氫、氘或氦注入；
b.3：直接寫入能力；
b.4：用于將高能氧注入加熱的半導(dǎo)體材料“基板”的65keV或更高的束能量和45mA或更高束電流；或
b.5：被設(shè)計(jì)和優(yōu)化為在20keV或更高的束能和10mA或更大的束流下工作，用于將硅注入加熱到600C或更高溫度的半導(dǎo)體材料“基板”；
c.蝕刻設(shè)備：
c.1：設(shè)計(jì)用于干法蝕刻的設(shè)備如下：
c.1.a.為各向同性干法蝕刻而設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備，其最大“硅鍺對硅（SiGe:Si）蝕刻選擇性”大于或等于100:1；或
c.1.b.為介電材料的各向異性蝕刻而設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備，能夠制造縱橫比大于30:1、頂面橫向尺寸小于100nm的高縱橫比特征，并具有以下所有特征：
c.1.b.1：具有至少一個(gè)脈沖RF輸出的射頻（RF）電源；和
c.1.b.2：一個(gè)或多個(gè)切換時(shí)間小于300毫秒的快速氣體切換閥；或
c.1.c：為各向異性干法蝕刻而設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備，具有以下所有特征；
c.1.c.1：具有至少一個(gè)脈沖RF輸出的射頻（RF）電源；
c.1.c.2：一個(gè)或多個(gè)切換時(shí)間小于300毫秒的快速氣體切換閥；和
c.1.c.3：帶有二十個(gè)或更多可單獨(dú)控制的可變溫度元件的靜電卡盤；
c.2：設(shè)計(jì)用于濕化學(xué)處理的設(shè)備，其最大“硅鍺對硅（SiGe:Si）蝕刻選擇性”大于或等于100:1；
注1:3B001.c包括“自由基”、離子、順序反應(yīng)或非順序反應(yīng)的蝕刻。
注2:3B001.c.1.c包括使用RF脈沖激發(fā)等離子體、脈沖占空比激發(fā)等離子體、電極上的脈沖電壓修飾等離子體、與等離子體結(jié)合的氣體循環(huán)注入和凈化、等離子體原子層蝕刻或等離子體準(zhǔn)原子層蝕刻的蝕刻。
4、增材制造設(shè)備（i.ECCN 2B910）
BIS對ECCN 2D910和2E910中增材制造設(shè)備（2B910）的“技術(shù)”和“軟件”的外國人實(shí)施視同出口和再出口管制。
美國工業(yè)和安全局副部長艾倫埃斯特維茲在一份聲明中表示：“今天的行動(dòng)確保我們的國家出口管制與迅速發(fā)展的技術(shù)保持同步，并且在與國際伙伴合作時(shí)更加有效。”“協(xié)調(diào)我們對量子和其他先進(jìn)技術(shù)的控制，將使我們的對手更難以以威脅我們集體安全的方式開發(fā)和部署這些技術(shù)。”
有什么改變？
該規(guī)則在商務(wù)管制清單中增加了新的出口管制分類編號（ECCN），涵蓋一般產(chǎn)品類別和能力，而不是特定產(chǎn)品。
這基本上意味著，如果你想從美國出口某些類型的產(chǎn)品（已列入或已添加到管制清單的產(chǎn)品），你可能需要獲得美國政府的許可。這讓美國有能力限制向某些國家出口某些類型的技術(shù)。
例如，管制清單上的新 ECCN B910 指定了與合金制造相關(guān)的套件，因?yàn)檫@些物質(zhì)用于生產(chǎn)導(dǎo)彈、飛機(jī)和推進(jìn)系統(tǒng)的零件。另一個(gè)新的 ECCN 是“3A904 低溫冷卻系統(tǒng)和組件”，重點(diǎn)關(guān)注“與研究具有大量物理量子比特的量子系統(tǒng)相關(guān)的項(xiàng)目”。此外，還有在ECCN 3E905中對GAAFET增加了兩項(xiàng)授權(quán)要求。
這些規(guī)則增加了 18 個(gè) ECCN，并更新了 9 個(gè)現(xiàn)有 ECCN。這使美國能夠與其他國家保持步調(diào)一致，主要限制向俄羅斯和伊朗等國輸送裝備。
2023年美國國會(huì)研究服務(wù)處報(bào)告指出，與其他政府協(xié)調(diào)出口管制對于確保此類努力取得成效至關(guān)重要。該報(bào)告稱：“協(xié)調(diào)對于旨在阻止或延遲外國采購某些商品或技術(shù)的政策的有效性至關(guān)重要。如果商品或技術(shù)很容易從外國獲得，這種控制措施的效果可能會(huì)降低。”
例如，在數(shù)年之前美國主要通過將一些企業(yè)列入“實(shí)體名單”進(jìn)行限制。然而，美國隨后認(rèn)識(shí)到，在沒有國際合作伙伴的協(xié)調(diào)下，這一舉措收效有限。因此，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局于2022年10月宣布新的出口管制措施，旨在遏制中國獲取先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。隨后，在2023 年，美國、日本和荷蘭這三個(gè)領(lǐng)先的芯片制造國同意協(xié)調(diào)努力，阻止中國獲得先進(jìn)的芯片技術(shù)。
BIS最新出口管制似乎是加強(qiáng)與盟友合作的進(jìn)一步例子。美國商務(wù)部負(fù)責(zé)出口管理的助理部長西婭羅茲曼肯德勒 (Thea D. Rozman Kendler) 在一份聲明中表示：“保護(hù)我們國家安全的最有效方式是與志同道合的合作伙伴一起制定和協(xié)調(diào)我們的管控措施，今天的行動(dòng)表明了我們在制定此類管控措施以實(shí)現(xiàn)國家安全目標(biāo)方面的靈活性。”她還補(bǔ)充說，值得信賴的合作伙伴可以享受許可豁免。
編輯：芯智訊-浪客劍
